二季度以来，与 AI 相关的芯片市场正在经历一场前所未有的价格风暴。持续多年的 AI 热潮为何在今年集中体现在芯片价格上？
此前 AI 技术多停留在模型训练与小规模验证阶段，如互联网大厂的 AI 产品以探索、测试为主，业务渗透率相对较低。但今年以来，AI 业务迈入高渗透期：AI 产品已成熟上线，业务渗透率大幅提升，传统互联网产品也在加速 AI 重构，带动用户交互频次显著增加。需求的大幅增加直接引发了与 AI 相关的各类芯片品类价格飙升，从 GPU 到光模块芯片，再到 ASIC 等品类，最终传导至直接构建起 AI 算力底座的存储芯片。
根据 Counterpoint Research 的最新预测，存储价格预计在 2025 年底前将再上涨 30%，并在 2026 年上半年进一步上涨 20%。这一现象表面上是价格波动，背后却是技术革命对传统产业格局的彻底重塑。
行业周期性与 AI 需求激增，驱动芯片涨价潮
业内分析指出，一方面，芯片价格上涨延续了行业固有的周期性波动规律，价格起伏是市场供需关系的正常反映；另一方面，此次暴涨的核心驱动力在于 AI 产业的爆发式增长。在行业周期性与 AI 需求激增的共同推动下，价格上涨趋势已从最核心的 AI GPU，蔓延到了数据中心内部高速连接所需的光模块芯片、执行特定 AI 任务的专用芯片（ASIC）等多个关键领域，进一步加剧了目前全球芯片制造与封装产能的紧张。其中，存储芯片的价格波动尤为明显，其缺货涨价对硬件 OEM 与 ODM 厂商的冲击持续扩大。存储芯片价格一路飙升，手机厂商陷入“有钱难抢货”的困境，部分厂商甚至放缓采购节奏，以避免盈利进一步受损。
而造成存储芯片价格飙升的原因是市场供应端全面转轨向具备高带宽、低功耗、低延迟的 HBM 产品。
AI 算力需求巨幅增长下首要面临的是“内存墙”的严峻挑战 —— 传统内存的数据传输速度已无法满足万亿参数模型的海量处理需求。这一瓶颈直接催生了新一代存储标准：高带宽内存（HBM），通过 3D 堆叠多个 DRAM 芯片，利用硅通孔技术实现了数据传输速度的倍增，已成为 AI 算力的核心存储基建，更从本质上推动了市场变革 —— 单台 AI 服务器的 DRAM 配置需求已飙升至传统服务器的 8 倍，这也直接造成了市场供应端的压力。
HBM 需求挤占传统存储产能：3 倍产能消耗下的 DRAM 供应链困局
然而，HBM 的繁荣背后是对传统 DRAM 产能和供给的剧烈冲击。美光首席财务官 Sumit Sadana 在“2025 KeyBank 技术大会”上公开表示，“HBM 结构复杂，其晶圆产能消耗量达到标准 DRAM 的 3 倍以上。”
这种结构性产能倾斜严重挤占了通用 DRAM 的生产资源，直接导致 DDR4 等传统产品供应缺口扩大，这一影响已在全球范围内显现。腾讯科技分析，内存涨价的直接原因是 AI 巨头们对 HBM 存储的需求，挤占 DRAM 颗粒产能，同时 HBM 的产能争夺是导致当前通用 DRAM 供应短缺和价格上涨的主要因素之一。
国际产能转移加剧“芯片荒”，下游产业链承压
与此同时，国际头部厂商的市场战略调整进一步加剧了供应紧张。据《财经》报道，2025 年 4 月，三星、SK 海力士、美光等国际大厂已相继发布 DDR4 的 EOL（产品生命周期结束）通知，大幅减产或停产 DDR4 产品。存储行业具备极强的头部带动效应，三大原厂的纷纷停产也直接带动产业整体向 DDR5 及 HBM 产能的直接迁移，国内头部存储厂也同步调整其产能快速跟随，从而与全球产业的整体节奏一致以保持市场竞争力。
产能转移与产品迭代的双重影响下，国内芯片市场供应“青黄不接”的现象尤为突出。对此，中芯国际联合 CEO 赵海军表示，存储芯片供应短缺以及价格上涨，导致手机、网络通信设备等行业客户拿货趋于谨慎。据集邦科技预测，2026 年通用 DRAM 市场将出现供应缺口，供需之间的裂痕，正通过价格信号被急剧放大。
业内普遍认为提供炒股配资开户，此次芯片价格上涨并非由几家厂商所主导，而是 AI 产业发展引发的行业性结构变革，叠加产能战略调整后的必然结果。随着 HBM4 等新一代产品的量产，产能竞争将进一步加剧，短期内市场供需紧张格局或难以缓解，芯片价格高位运行态势可能持续。
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